طراحی بهینه سیستم های فتوولتائیک پراکنده ولتاژ پایین با هدف افزایش قابلیت گذر از خطا

در این مقاله، جنبه های طراحی واحدهای DG-PV ولتاژ پایین به منظور تبعیت از نیازمندی های LVRTC بررسی شده است. تحلیل تئوری نشان داد که چگونه امپدانس واحدهای DG بر ولتاژهای باس شبکه توزیع پس از وقوع خطا تاثیر می‏گذارد. به علاوه، مفهوم انتخاب پذیری ولتاژ تعریف شده است. مطمئنا، اضافه سایز DG-PV بایستی محدود شود (تا حد ۷۵ یا ۱۰۰%) طوری که از سایز و هزینه بسیار بالا جلوگیری شود. در این راستا یک طراحی بهینه برای واحدهای DG-PV معرفی شده است که به حفظ ولتاژهای باس در شبکه توزیع در بیشترین سطح ممکن حین بروز خطا توجه دارد تا بدین ترتیب به انتخاب پذیری ولتاژ طبق طرح LVRTC دست یابد. این پروسه بهینه سازی فاش کرد که وقتیODlim it آزاد می‏شود (۱۰-۱۰۰%)، آنگاه انتخاب پذیری ولتاژ می‏تواند به ازای مقادیر PL مختلف (که بطور قابل توجه از مقادیر فعلی بیشتر است) با کمترین اثر روی تنظیمات حفاظتی شبکه، حاصل آید. بنابراین، مقاله حاضر چالش های طراحی ضروری برای طراحان الکترونیک قدرت را از لحاظ توسعه‏ ی مبدل های DG-PV مناسب برای مقادیر افزایش یافته PL ارائه می‏دارد.