بررسی روش های محاسبه سرعت تخریب فتوولتائیک

ارزیابی دقیق و موثر عملکرد تخریب فناوری های PV قدم منطقی بعدی برای دست یابی به مزیت های PV است. به تازگی فناوری های کارآمد جدیدتری با دوام و عدم آسیب پذیری در برابر شرایط آب و هوایی نا معلوم ظهور کرده اند. پی بردن به عملکرد تخریب در شرایط واقعی نیاز کلیدی برای تعیین خصوصیات (characterization) آنها تحت شرایط آب و هوایی متغیر است. نتایج بررسی های تخریب PV و مقایسه فناوری های مختلف PV نگرشی کارآمد درمورد دوام هر کدام از فناوری ها و بهره وری آنها در طول عمرشان ارائه می کند. این مقاله نشان داد که محققان در حال پیشرفت در مورد تخریب PV و در نتیجه دوام طولانی مدت آن ها هستند. در تجزیه و تحلیل های منتشر شده نشان داده شده است که سرعت تخریب فقط وابسته به فناوری نیست بلکه وابسته به روش نیز هست. روش هایی متفاوت برای محاسبه تخریب فناوری های مختلف به همراه نتایج آنها در قالب سرعت های تخریب ارائه شد. در مورد سرعت تخریب و دوام طولانی مدت، پژوهش هایی که به رسمیت شناخته شده اند، به استاندارد سازی روش های بررسی سرعت تخریب، شامل محدودیت های عدم قطعیت تجربی، فیلتر و تعیین صلاحیت داده های اندازه گیری، گرفتن میانگین، ردیابی پرت ها و روش های درجه بندی عملکرد که برای کاهش عدم قطعیت و تغییر پذیری و بنا نهادن گزارشات استاندارد سرعت های تخریب در فناوری های مختلف لازم است، اشاره دارد. سر انجام این مقاله چهار روش عمده تجزیه و تحلیل های آماری برای محاسبه سرعت تخریب را شناسایی و ارائه کرد : ۱) رگرسیون خطی (LR) 2) تجزیه فصلی کلاسیک (CSD) 3) میانگین متحرک اتورگرسیون مجتمع (ARIMA) 4) LOESS و عملکردهای متریک مختلف در رابطه با این روش ها ۱) پارامترهای الکتریکی منحنی های IV که تحت شرایط خارجی و یا شرایط شبیه سازی شده داخلی ثبت و ضبط شده و به STC اصلاح شده ۲) مدل های رگرسیون از قبیل فتوولتائیک برای کاربردهای سودمند مقیاس (PVUSA) و مدل های ساندیا ۳) درجه بندی های هنجار شده (normalized) مانند نسبت عملکرد، R_P ، و G_I P_MPP و ۴) درجه بندی های مقیاسی (scaled ratings) مانند P_max P_MPP، P_max P_AC و kWh kW_P. تجزیه و تحلیل آماری نتایج بدست آمده از روش ها نشان داده است روش IV با PE، کمتری R_D را تولید می کند. روش LR نتایجی با عدم قطعیت و تغییرات قابل ملاحظه تولید کرد. روش CSD بالاترین R_D را برای mono-c-Si و multi-c-Si تولید کرد اما دارای عدم قطعیت کمتر از LR بود در حالیکه روش های ARIMA و LOESS، که محبوبیت کمتری دارند، برای تمام فناوری ها نتایجی با عدم قطعیت و تغییر کمتر تولید کردند و توافق وجود داشت.