اثر شرایط رسوب در نانو کلاسترهای سیلیکون در فیلم های نیترید سیلیکون رشد یافته توسط روش لیزر با روش های CVD لیزری

فیلم های نیترید سیلیکون جاسازی شده- نانوخوشه- سیلیکون-بلوری در دمای پایین با استفاده از سیستم CVD به کمک لیزر (LACVD) با نرخ های مختلف جریان گاز واکنش دهنده و با کمک چگالی های قدرت لیزر رسوب داده شدند. عملکردهای فوتولومینسانس (PL) فیلم های حاصل مورد مطالعه قرار گرفتند و یک جابجایی آبی طیف سیستماتیک و افزایش شدت PL با افزایش نسبت نرخ جریان گاز NH3 SiH4 واکنش دهنده و با کمک چگالی توان لیزر مورد استفاده در رسوب فیلم دیده شد. جابجایی آبی طیف را می توان به کاهش اندازه نانوخوشه ها در فیلم ها نسبت داد. همچنین استنباط می شود که کاهش مقدار مراکز غیرتابشی در نانوخوشه ها و افزایش چگالی تعداد نانوخوشه ها در فیلم، مسئول افزایش شدت PL هستند. فرآیند رشد فیلم نیز به طور خلاصه مورد بحث قرار خواهد گرفت.